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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：64 A
漏源导通电阻：8 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：113.3 nC
Pd-功率耗散：48 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFI3205PBF SP001570864
单位重量：3 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
隔离包装
高压隔离= 2.5KVRMS
下沉到导致爬电距离。 = 4.8毫米
完全雪崩等级
无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
可实现每硅面积极低的导通电阻。这项优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器
件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠
的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-220 Fullpak消除了工业应用中对附加绝缘硬件的需求。
所使用的模塑料在接线片和外部散热器之间具有较高的
隔离能力和较低的热阻。这种隔离等效于对标准TO-220
产品使用100微米的云母屏障。 Fullpak可使用单个夹子
或单个螺钉固定到散热器上。
|
Absolute Maximum Ratings |
|||
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
64 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
45 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current † |
390 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
63 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.42 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚† |
480 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current † |
59 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy |
6.3 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dtĠ |
5.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|